[其他]高密度动态随机存取存储器的槽式电容的制造方法在审
| 申请号： | 101985000003830 | 申请日： | 1985-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1005668B | 公开（公告）日： | 1989-11-01 |
| 发明（设计）人： | 戴维·A·巴格利;罗纳德·帕克 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 萧**昌;匡少波 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 动态单晶体管读／写存储单元采用槽式电容器，以增加电荷存储量。槽蚀刻在与Ｎ＋位线相似的扩散Ｎ＋电容器层的硅片表面上，然后在位线和电容器层上生长一层厚的氧化膜，而不是在槽中；在达到最大槽深的最终蚀刻之前，利用在部分蚀刻之后随之再生长一层氧化膜的方法来减小掏蚀的影响。电容器的阳极扩展到槽中，并在硅小片的整个表面上构成场极电极隔层的一层多晶硅。难熔金属字线在多晶硅场极电极中的窗口上构成存取晶体管的栅。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 动态 随机存取存储器 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于得克萨斯仪器公司，未经得克萨斯仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/101985000003830/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
