[其他]高密度动态随机存取存储器的槽式电容的制造方法

权利要求书

1、一种动态存储器单元中，其中包括：

一个具有一沟道及重掺杂的源区和漏区的晶体管;一个槽式电容器;在半导体表面的重掺杂源区内有一个所述电容器的槽;在所述表面上有一细长的重掺杂区形成一位线和所说漏区;垂直于上述位线，沿所述表面伸延着一字线，该字线的一部分形成栅极;一导电的场极板极层沿所说槽向下伸延以构成电容器的上板极;

其特征在于：

在所述位线和所述源区的重掺杂区上覆盖有氧化层以隔开所述重掺杂区和所述位线，而在该槽的侧壁覆盖有薄氧化层。

2、根据权利要求1的存储单元，其特征在于：在所述位线上的场氧化膜的厚度和所述电容区域的场氧化膜的厚度基本一样。

3、根据权利要求1中的存储器单元，其特征在于所述场极板极通过一氧化层和一氮化硅层而和所述表面隔离。

4、根据权利要求1的存储器单元，其特征在于：所述场极板极上的隔离层填充到所述槽上来给所述字线提供一水平表面。

5、一种制作动态存储器单元的方法，其中包括以下工序：

将杂质注入半导体的表面，以在所说存储器单元的位线和电容器区域内产生重掺杂的漏区和源区;

蚀刻所说电容器区域的第一部分，以通过所说重掺杂区建立一沟槽;

至少在所说被蚀刻的第一部分中的重掺杂区形成氧化层;

然后蚀刻槽在一预定深度的其余部分;

在所说漏和源区上形成厚氧化层，所说氧化层在所说槽中要比所说重掺杂区上面的氧化层薄得多;

在所说表面上面施加一层第一导电层，并伸延入所说槽中;以及

在所说表面上形成一层有图形的第二导电层，以在所说源和漏区之间组成一条位线一漏区。