[发明专利]具有均匀轴向分布的等离子体的电容耦合等离子体反应器

摘要

一种制造半导体晶片的等离子体反应器，其包含界定一处理室的边墙和顶板、工件支撑器阴极于处理室内、制程气体入口用以引导制程气体进入处理室内、与射频偏压功率产生器具有偏压功率频率，而此工件支撑器阴极具有工作表面面对顶板以支撑半导体工件。一偏压功率供应点位于工作表面，及一射频导体连接于射频偏压功率产生器和工作表面之间。介电套筒环绕射频导体一部分，此套筒具有沿着射频导体的轴长、介电常数和沿着射频导体的轴向定位，此套筒的轴长、介电常数和轴向定位是使得套筒提供电抗以增进工作表面上等离子体离子密度的均匀性。在进一步的方案中，反应器还可包含环状射频耦接环，其具有大致对应晶片周围的内径，射频连结环于工作表面和顶部电极之间延伸一段充分距离以接近晶片的周围，增进等离子体离子密度。

主权项

1.一种等离子体反应器，包含：一边墙以及一顶板，以界定一处理室；一工件支撑阴极，是在该处理室内，该工件支撑阴极具有一工作表面面对该顶板部份，以支撑一半导体工件；一制程气体入口，用以导入一制程气体至该处理室；一射频偏压功率产生器，具有一偏压功率频率；一偏压功率供应点，位于该工作表面；一射频导体，连接于该射频偏压功率产生器和位于该工作表面的该偏压功率供应点之间；以及一介电套筒，环绕该射频导体的一部份，该套筒具有沿着射频导体的一轴长、一介电常数和沿着该射频导体的一轴向定位，该套筒的轴长、介电常数与轴向定位，使得该套筒提供一电抗，该电抗增进工作表面上等离子体离子密度的均一性。