[发明专利]单个晶体管DRAM单元结构及其形成方法有效
| 申请号： | 03824916.2 | 申请日： | 2003-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1695250A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·D·比尔内特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;钟强 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 单个晶体管DRAM单元(10)形成在SOI衬底(12、14)中，以便DRAM单元形成在相互电隔离的体区中。每个单元(10)具有用作源和漏接触的掺杂区(36，42)。在漏接触(42)和体区(16)之间是有助于碰撞电离并由此在编程期间形成电子/空穴、并且是与体区(16)相同的导电类型而比体区(16)高浓度的区域(40)。邻近源接触(36)和邻近体区(16)的是在擦除期间有助于二极管电流并与源接触(36)相同导电类型而比源接触(36)低浓度的区域(38)。 | ||
| 搜索关键词： | 单个 晶体管 dram 单元 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单个晶体管动态随机存取存储器(DRAM)单元，包括：晶体管，具有第一漏/源区、第二漏/源区、在第一和第二漏/源区之间的体区以及在体区上方的栅极，其中邻近体区的第一漏/源区的一部分的掺杂浓度与邻近体区的第二漏/源区的一部分的掺杂浓度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03824916.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：调整图像基色成分的设备和方法
- 下一篇：加密记录设备、重放设备和程序
- 同类专利
- 专利分类
