[发明专利]原子层沉积方法

摘要

一种原子层沉积方法，包括将半导体基材放置在原子层沉积室内。第一前体气体流过原子层沉积室内的基材上以在基材上有效形成第一单层。在形成第一单层后，反应性中间体气体流向沉积室内的基材。反应性中间体气体在反应性中间体气体的流动的条件下能够与来自第一前体流的中间反应副产物反应。在反应性中间体流过后，第二前体气体流向沉积室内的基材，以在第一单层上有效形成第二单层。本发明还考虑了其它方面和实施方案。

主权项

1.一种原子层沉积方法，包括如下步骤：在原子层沉积室内放置半导体基材；第一前体气体流向在原子层沉积室内的基材，以在基材上有效形成第一单层；在形成第一单层后，反应性中间体气体流向在沉积室内的基材，所述反应性中间体气体能够在反应性中间体气体的流动的条件下与来自第一前体流的中间反应副产物反应；和在反应性中间体气体流过后，第二前体气体流向沉积室内的基材以在第一单层上有效形成第二单层。