[发明专利]铁磁性Ⅳ族系半导体、铁磁性Ⅲ －Ⅴ族系化合物半导体或铁磁性Ⅱ －Ⅵ族系化合物半导体 ,及此等半导体的铁磁性的调整方法无效
| 申请号： | 03813072.6 | 申请日： | 2003-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1659664A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 吉田博;荒木和也;佐藤和则 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01F10/193 | 分类号： | H01F10/193;G02F1/09;G02B27/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 采用透射光线的IV族系半导体III－V族系化合物半导体或II－VI族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特性。于IV族系半导体、III－V族半导体系化合物半导体、或II－VI族系化合物半导体内，使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的稀土类金属元素而成的群体选出的至少一种金属。因此由此等稀土类金属浓度的调整及由此等稀土类金属的2种以上的金属的组合，由p型及n型掺杂剂记的添加等，可调整铁磁性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 铁磁性 半导体 化合物 调整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁磁性IV族系半导体、铁磁性III-V族系化合物半导体或铁磁性II-VI族系化合物半导体，其特征在于，IV族系半导体、III-V族系化合物半导体、III-V族系化合物半导体内，通过使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的稀土类金属元素而成的群体选出的至少一种金属元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人科学技术振兴机构，未经独立行政法人科学技术振兴机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03813072.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：药物分配器
- 下一篇：光电子元件的电极及其应用
