[发明专利]以部分氧化多孔硅为基础之装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 03808648.4 申请日: 2003-03-28
公开(公告)号: CN1646224A 公开(公告)日: 2005-07-27
发明(设计)人: S·德廷格;M·弗里茨;K·夫奇斯;T·哈尼德;V·勒赫曼恩;A·马丁;R·梅尔滋 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;G02B1/10;G02B6/12;H01L21/762;H01L21/306;G01N33/543
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;张志醒
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明是关于一种装置,其包含以硅为基处的一平面设计的巨孔支撑材质,其具有多数孔洞,其直径范围是自500奈米至100微米,其是分布于至少一表面区域上,且自该支撑材质的一表面延伸至对面表面,其中该装置具有至少一区域,其包含具有二氧化硅(SiO2)孔壁的一或多孔洞,以及其中此区域是由具硅内核的壁之框架所环绕,其配置主要是平行于该孔洞之纵轴,且是开放朝向该表面,其中该硅内核是并入朝向形成该框架的壁外侧之剖面区域上的二氧化硅。根据本发明之装置,其是用于侦测生物化学(键结)反应方法中的“生物芯片基础模块”的适当基础,且特别适用于研究酵素反应、核苷酸杂交、蛋白质-蛋白质交互作用以及生物与医学中其它在基因体、蛋白质体或活化剂研究中的其它键结方法。
搜索关键词: 部分 氧化 多孔 基础 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种装置,其包含以硅为基础的一平面设计的巨孔支撑材质(10),其具有多数孔洞,其直径范围是自500奈米至100微米,而是分布于至少一表面区域上,且自该支撑材质的一表面(10A)延伸至对面表面(10B),其中该装置具有至少一区域(11A),其包含具有二氧化硅(SiO2)孔壁的一或多孔洞,以及其中此区域是由具硅内核(12A)的壁之框架所环绕,其配置主要是平行于该孔洞之纵轴,且是开放朝向该表面(10A、10B),其中该硅内核是并入朝向形成该框架的壁外侧之剖面区域上的二氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03808648.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top