[发明专利]ALD装置和方法在审
申请号: | 03806234.8 | 申请日: | 2003-01-17 |
公开(公告)号: | CN1643179A | 公开(公告)日: | 2005-07-20 |
发明(设计)人: | 奥弗·斯内 | 申请(专利权)人: | 松德沃技术公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/56;C23C16/44;G05D16/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种原子层沉积设备和方法,其能够提高化学试剂剂量调配以及清理的效率。所述设备包括用于处理室维护的集成式结构和程序。 | ||
搜索关键词: | ald 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积系统,包括:一个原子层沉积室(“沉积室”),其包括一个基板保持器和一个加热器;一个抽取气体导入室(“DGIC”);一个沉积室节流元件(“FRE”),其以流体连通的方式串联在所述沉积室与所述DGIC之间;一个抽取气体源;一个抽取源截止阀,其以流体连通的方式串联在所述抽取气体源与所述DGIC之间;一个抽取源FRE,其以流体连通的方式串联在所述抽取气体源与所述DGIC之间;一个抽取控制室;一个DGIC-FRE,其以流体连通的方式串联在所述DGIC与所述抽取控制室之间;一个抽取控制出口,其以流体连通的方式串联着所述抽取控制室;一个真空泵,其以流体连通的方式串联着所述抽取控制出口;一个抽取控制FRE,其以流体连通的方式串联在所述抽取控制出口与所述真空泵之间;多个化学气体源;多个增压室,每个所述增压室均以流体连通的方式串联着一个相应的化学气体源;多个化学试剂源FRE,每个所述化学试剂源FRE均以流体连通的方式串联在一个相应的化学气体源与一个相应的增压室之间;多个化学试剂剂量调配截止阀,每个所述化学试剂剂量调配截止阀均以流体连通的方式串联在一个相应的增压室与所述沉积室之间;多个增压室FRE,每个所述增压室FRE均以流体连通的方式串联在一个相应的增压室与所述沉积室之间;一个清理气体源;一个清理源截止阀,其以流体连通的方式串联在所述清理气体源与所述沉积室之间;以及一个清理源FRE,其以流体连通的方式串联在所述清理气体源与所述沉积室之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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