[发明专利]金属基板化学－机械抛光方法

摘要

用于微电子半导体工业、含至少一个金属层与一个绝缘体层的基板的单阶段化学-机械抛光用磨料组合物，包含个体化胶体硅石微粒(彼此未以硅氧烷键连结，具有5至20纳米的平均微粒直径)的酸性水性悬浮液与氧化剂，及使用此组合物的化学-机械抛光方法。

主权项

1.一种用于微电子半导体工业的基板的化学-机械抛光方法，该基板含至少一个金属层与一个绝缘体层，非必要地以屏障层分离，其中，使用抛光垫让基板相对于该垫移动并将基板压在该垫上，使金属层及屏障层受到磨擦，在抛光期间将磨料组合物沉积在该垫上，其特征在于该方法是以单一阶段进行的，还在于该磨料组合物包含：-彼此未以硅氧烷键连结、且具有5至20纳米的平均微粒直径、而且有1至10重量％硅石浓度的个体化胶体硅石微粒的酸性水性悬浮液，该胶体硅石的酸性水性悬浮液的pH值为1至5，-氧化剂，该氧化剂是以0.1至15重量％浓度存在的，而且在于从绝缘体表面消除金属层及非必要的屏障层，以得到不需任何修整抛光的金属与绝缘体表面。