[发明专利]电荷控制雪崩光电二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 03803050.0 | 申请日： | 2003-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1633699A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 柯呈佶 | 申请（专利权）人： | 派克米瑞斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L31/107 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括在半绝缘InP结构上生长的外延结构。首先，生长缓冲层以隔离由基片产生的缺陷。然后生长n－型层用作收集电子的n－接触层。接着，生长倍增层向APD设备提供雪崩增益。之后，通过碳掺杂生长超薄电荷控制层。生长吸收层作为由光激发产生电子空穴对的区域。最后，生长p－型层作为收集空穴的P接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 控制 雪崩 光电二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种雪崩光电二极管，包括：位于一基片层上的吸收层；位于该基片层上的倍增层；和碳掺杂电荷控制层，其位于吸收层和倍增层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
