[发明专利]高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和使用它们的磁性元件有效
| 申请号: | 03802283.4 | 申请日: | 2003-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN1615529A | 公开(公告)日: | 2005-05-11 |
| 发明(设计)人: | 崔京九;村濑;山崎阳太郎 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | H01F10/16 | 分类号: | H01F10/16 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种高频用磁性薄膜,其中,含有由T-L组合物构成的第1层,其中T是Fe或FeCo、L是C、B和N之中的1种、2种或以上、和在上述第1层的任意的面上被配置的由Co系非晶质合金构成的第2层。本发明的高频用磁性薄膜,通过层叠、优选交替地层叠了多个第1层和多个第2层的多层膜结构构成为好。本发明的高频用磁性薄膜,能够得到在1GHz下的复数磁导率的实数部(μ’)为400或以上、并且性能指数Q(Q=μ’/μ”)为4或以上、饱和磁化为14kG(1.4T)或以上的特性。 | ||
| 搜索关键词: | 高频 磁性 薄膜 复合 使用 它们 元件 | ||
【主权项】:
1.一种高频用磁性薄膜,其中,含有由T-L组合物构成的第1层,其中T是Fe或FeCo、L是C、B和N之中的1种、2种或以上、和在所述第1层的任意的面上被配置的由Co系非晶质合金构成的第2层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03802283.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。





