[发明专利]产生高性能有机半导体器件的方法无效
| 申请号： | 03800228.0 | 申请日： | 2003-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1524295A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | Y·杨;L·马;M·L·贝戈尔 | 申请（专利权）人： | 精密动力公司 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 对有机半导体器件的高温热退火使得该器件的有机材料和金属材料之间产生了低电阻接触，这改进了载流子注入效率。该处理产生了欧姆接触和肖特基结。另外，该处理可导致金属离子或原子迁移或扩散进入有机层，导致有机层或二者均结晶。得到的有机半导体器件具有提高的操作特性比如更快的操作速度。除了加热之外，可利用其它形式的能量比如电压、电流、用于局部加热的电磁辐射能、红外能和紫外能来处理。描述了改进的含有铝、碳C60和铜的有机二极管实例和绝缘栅场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 性能 有机 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在有机半导体器件的金属材料和有机材料之间形成低电阻接触的方法，该方法包括：在高于60℃并且足以在有机半导体器件的金属和有机材料之间形成低电阻接触的温度下处理有机半导体器件；并且冷却该有机半导体器件。
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