[发明专利]光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法

摘要

本发明的光掩模设有透过区(R1)、半色调区(R2)及遮光区(R3)，采用一次描画方法形成。多个透过区(R1)的各外周为半色调区(R2)包围。在设有0.32μm以下的间隔布置的多个透过区(R1)的、且透过区的间隔为光掩模(10)内最小的最密集图案区中，形成包围相邻的一对透过区(R1)的各外周的半色调区(R2)，使遮光膜(3)位于相邻的一对透过区(R1)之间。由此，通过这种三色调掩模，提供所有间距无禁止区域的光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法。

主权项

1.一种光掩模，它包括分别由透明衬底(1)的露出部分构成的多个透过区(R1)、由设于所述透明衬底(1)上的半色调移相膜(2)的露出部分构成的半色调区(R2)以及由半色调移相膜(2)上的遮光膜(3)形成的区域构成的遮光区(R3)，通过一次描画方法形成；其特征在于：所述多个透过区(R1)的各外周为所述半色调区(R2)包围；在设有以0.32μm以下的间距配置的多个所述透过区(R1)的、且所述透过区(R1)的间距为光掩模内最小的最密集图案区中，形成包围相邻的一对所述透过区(R1)的各外周的所述半色调区(R2)，使所述遮光膜(3)位于相邻的一对所述透过区(R1)之间。