[发明专利]结晶装置、结晶方法及相位转换机构无效
| 申请号： | 03158410.1 | 申请日： | 2003-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1492477A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;G02F1/136 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 装置 方法 相位 转换 机构 | ||
【主权项】：
1.一种结晶装置，其特征在于，具备：照明系统(2)，其照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界(10a)的方式邻接、且以第1相位差透过从上述照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域(11、12)，该相位转换构件(1)对上述照明光进行相位调制，以便光强度具有在与上述边界(10a)相对应的上述非单晶半导体膜(3)上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布；上述相位转换构件(1)还具有微小区域(13)，从上述边界(10a)朝上述第1和第2区域(11、12)的至少一方扩展，以第2相位差对上述第1和第2区域(11、12)的至少一方透过从上述照明系统(2)来的照明光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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