[发明专利]两端无掺杂激光棒的制备工艺无效
| 申请号： | 03157527.7 | 申请日： | 2003-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1492083A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 臧竞存;邹玉林;单秉锐 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种两端无掺杂激光棒的单晶生长工艺属于单晶生长技术领域，涉及两端无掺杂激光棒的制备工艺。本发明提供的工艺包括以下步骤：常规加工好激光棒；将激光棒从顶部放入与激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶；倒转激光棒重复上述过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。本发明解决了激光棒端面不能冷却问题，使激光工作介质达到全方位冷却，提高了冷却效果；由于直接生长两端无掺杂激光棒，在激光棒掺杂部分与无掺杂部分之间无任何接缝，避免了粘接法产生的各种缺陷，改善了激光光束质量，提高了效率，能有效延长激光晶体的使用寿命，增大了激光的平均输出功率和激光脉冲重复频率。 | ||
| 搜索关键词： | 两端 掺杂 激光 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种两端无掺杂激光棒的制备工艺，其特征在于，它包括以下步骤：(1)、按照常规加工方法加工好激光棒；(2)、将上述激光棒从顶部放入与该激光棒中的激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶，得到一端无掺杂的单晶激光棒；(3)、倒转上述一端无掺杂的单晶激光棒重复上述步骤(2)的过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。
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