[发明专利]能够实现冗余单元阵列正确替换的半导体存储器有效

专利信息
申请号: 03157097.6 申请日: 2003-09-12
公开(公告)号: CN1487527A 公开(公告)日: 2004-04-07
发明(设计)人: 张雅迪 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C29/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储器,其包括具有多个存储单元的核心阵列,以及用来替换核心阵列中包含缺陷单元的替换对象区的冗余阵列。在此半导体存储器中,提供了保存包含缺陷单元两侧的第一替换对象区的地址作为替换对象地址的替换地址存储器,以及控制用冗余阵列替换核心阵列的替换对象区的冗余控制器。当第一替换对象区的一部分位于核心阵列的外部时,冗余控制器控制用冗余阵列替换包含缺陷单元且位于核心阵列内部的第二替换对象区。
搜索关键词: 能够 实现 冗余 单元 阵列 正确 替换 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:具有多个存储单元的核心阵列;冗余阵列,用于替换核心阵列中包含缺陷单元的替换对象区;替换地址存储器,其存储包含缺陷单元两侧的第一替换对象区的地址作为替换对象地址;和冗余控制器,其控制用冗余阵列替换核心阵列,其中,当第一替换对象区完全位于核心阵列的内部时,所述的冗余控制器控制用冗余阵列替换对应于替换对象地址的所述第一替换对象区,并且当第一替换对象区的一部分位于核心阵列的外部时,冗余控制器控制与替换对象地址无关地用冗余阵列替换一个包含缺陷单元且位于核心阵列内部的第二替换对象区。
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