[发明专利]金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法

摘要

本发明是关于一种金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法，该金属内连线制程，是首先提供已形成有介电层的基底，且介电层上已形成有含硅罩幕层。接着图案化介电层以形成开口。之后在含硅罩幕层的表面以及开口内形成金属黏着层，然后在开口内填入金属层。随后进行热制程，以使金属黏着层与含硅罩幕层反应，而形成金属硅化物层。之后，移除部分金属层，直到金属硅化物层暴露出来。接着，利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液移除金属硅化物层之后，再移除含硅罩幕层，直到介电层暴露出来。其利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液可以有效移除金属硅化物层，且不会对金属层造成伤害。

主权项

1、一种金属内连线制程，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，该基底上已形成有一介电层，且该介电层上已形成有一含硅罩幕层；以该含硅罩幕层为一蚀刻罩幕，图案化该介电层，以形成一开口；在该含硅罩幕层以及该开口的表面形成一金属黏着层；在该基底上方形成一金属层，填入该开口并覆盖该金属黏着层；进行一热制程，以使该金属黏着层与该含硅罩幕层反应，而形成一金属硅化物层；利用该金属硅化物层作为一终止层，移除部分该金属层，直到该金属硅化物层暴露出来；进行一清洗步骤，以移除该金属硅化物层；以及移除该含硅罩幕层，直到该介电层暴露出来。