[发明专利]新型类金刚石薄膜沉积工艺无效
| 申请号： | 03155986.7 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1590584A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 赵跃 | 申请（专利权）人： | 赵跃 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/50;C23C16/513 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518004广东省深圳市罗湖区莲塘*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种新型类金刚石薄膜沉积工艺，它利用CH4和H2以及Ar以3∶1∶1的比例送入混合室混合后再由出气口送入真空室内的离子源，其真空度为0.03Pa，其阴极与电池连接，基底与离子源相隔200mm，离子源的放电电流为100mA，引出电流20mA，沉积时间为15分钟，可以沉积薄膜于各种材料的基底，如果不使用CH4可改用CO2或CO等气体。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 金刚石 薄膜 沉积 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种新型类金刚石薄膜沉积工艺，其特征是CH4和H2以及Ar以3∶1∶1的比例由流量计控制并分别送入混合进气室(1)，经均匀混合后由出气口(2)送入装在真空室(3)内的离子源(4)，真空室(3)的真空度为0.03Pa，其阴极(5)与电池E1连接，基底(7)与离子源(4)的距离是200mm，离子源的放电电流为100mA，引出电流20mA，沉积时真空室(3)抽成0.08～0.1Pa真空，这时沉积15分钟后基底(7)上有沉积薄膜(8)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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