[发明专利]分离栅极快闪存储单元及其制造方法

摘要

一种分离栅极快闪存储单元，由具有元件隔离结构的衬底；设置于衬底上的选择栅极结构；设置于衬底上的具有开口的层间介电层，此开口暴露部分选择栅极结构、衬底与元件隔离结构；设置于开口中，且部分延伸至层间介电层表面的浮置栅极；设置于浮置栅极与衬底之间的隧穿介电层；设置于该开口中，填满开口并延伸至选择栅极结构上方的控制栅极；设置于浮置栅极与控制栅极之间的栅极间介电层；设置于控制栅极未与选择栅极结构相邻的一侧的衬底中的源极区与设置于选择栅极未与控制栅极相邻的一侧的衬底中的漏极区所构成。

主权项

1.一种分离栅极快闪存储单元，包括：一衬底，该衬底中设置有一元件隔离结构以定义出有源区；一选择栅极结构，设置于该衬底上，该选择栅极结构从该衬底起依序为一栅极介电层、一选择栅极与一顶盖层；一间隙壁，设置于该选择栅极结构侧壁；一层间介电层，设置于该衬底上，且该层间介电层具有一开口，该开口设置于该选择栅极结构的一侧，暴露部分该选择栅极结构、该衬底与该元件隔离结构；一浮置栅极，设置于该开口中，且部分延伸至该层间介电层表面；一隧穿介电层，设置于该浮置栅极与该衬底之间；一控制栅极，设置于该开口中，填满该开口并延伸至该选择栅极结构上方；一栅极间介电层，设置于该浮置栅极与该控制栅极之间；一源极区，设置于该控制栅极未与该选择栅极结构相邻的一侧的该衬底中；以及一漏极区，设置于该选择栅极未与该控制栅极相邻的一侧的该衬底中。