[发明专利]集成的金属-绝缘体-金属电容器和金属栅晶体管及方法有效
申请号: | 03155108.4 | 申请日: | 2003-08-20 |
公开(公告)号: | CN1485924A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
发明(设计)人: | L·A·克莱文格;L·L·许;黄洸汉 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;王勇 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种集成电路结构,它包括各有由一层绝缘体分隔开的金属板的一对电容器,以及与该电容器电连接的金属栅半导体晶体管。晶体管的金属栅和每一电容器的金属板之一在集成电路结构中包含同一金属层。更具体地说,每一电容器包含具有在一下金属板垂直上方的一上金属板的一个垂直电容器,而且晶体管的各金属栅和电容器的各上金属板在集成电路结构中包含同一金属层。 | ||
搜索关键词: | 集成 金属 绝缘体 电容器 晶体管 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路结构包含:具有由一绝缘体分隔开的金属板的一电容器;以及与所述电容器电连接并有一金属栅的一半导体晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的