[发明专利]固态图像传感器和图像读取方法无效

专利信息
申请号: 03154823.7 申请日: 2003-08-20
公开(公告)号: CN1490878A 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 大川成实 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 潘培坤;楼仙英
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在包括4-Tr-像素的固态图像传感器中,连接到第n行像素单元的传输晶体管的栅极26TG的TG线、和连接到第n+1行像素单元的选择晶体管的栅极28SEL的选择线由公共信号线形成,并且第n行像素的栅极28TG和第n+1行像素单元的栅极28SEL形成在相同导电层的一个连续图形中。由此可以给金属互连层的布局提供裕度。因而,可有效地屏蔽浮置扩散FD使其不受到光照射。此外,给面积提供裕度。因而,浮置扩散FD可具有增加的面积,由此可减少结泄漏。
搜索关键词: 固态 图像传感器 图像 读取 方法
【主权项】:
1、一种固态图像传感器,包括:在行方向和列方向排列的多个像素单元,每个像素单元包括:光电转换器、用于传输由光电转换器产生的信号的第一晶体管、用于放大该信号的第二晶体管、用于使第二晶体管的输入端复位的第三晶体管、以及用于读取由第二晶体管输出的信号的第四晶体管;在行方向延伸的多个第一信号线,每个第一信号线连接到在行方向排列的像素单元的第一晶体管的栅极;和在行方向延伸的多个第二信号线,每个第二信号线连接到在行方向排列的像素单元的第四晶体管的栅极,连接到第n行的像素单元的第一晶体管的栅极的第一信号线和连接到第n+1行像素单元的第四晶体管的栅极的第二信号线由公共信号线形成,和在互相对应的每对第n行和第n+1行像素单元中,在同一导电层的一 个连续图形中形成第n行像素单元的第一晶体管的栅极和第n+1行像素单元的第四晶体管的栅极。
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