[发明专利]堆叠栅极闪存阵列

摘要

一种堆叠栅极闪存阵列，当其中具有某一个特定位线及字线的某一个存储格被过擦除而使该存储格具有不稳定位时，其它与此存储格具有相同位线、不同字线的存储格不会受到此存储格的漏电流的影响，从而不会使整个堆叠栅极闪存阵列中所存储的数据发生错误。在此阵列中，存储格的一个位线被分为两独立的位线，而两相邻的字线则通过一个晶体管的栅极被连结成一行。如此在此阵列中，某存储格发生漏电流的情形时，对于其它与该存储格具有相同位线、不同字线的存储格，因为位线已分开，而且连结两相邻字线的晶体管也会阻断该漏电流，因此该漏电流不会影响到其它存储格。因此在新式的阵列中，在执行写入或擦除操作时，不会有不稳定位产生的漏电流影响阵列。

主权项

1.一种堆叠栅极闪存阵列，其包括：多个晶体管，这些晶体管以多行与多列的方式排列，其中，在所述每一列中的这些晶体管，每两个相邻的晶体管为一个晶体管对，其中在该晶体管对中的两个晶体管的一个源/漏极相互耦接，而该晶体管对中的一个晶体管的另一个源/漏极耦接至一第一位线，另外一个晶体管的另一个源/漏极耦接至一第二位线；以及多个行独立晶体管，其中每一行独立晶体管对应于由在同一所述列中的晶体管对中的一个，其中每一行独立晶体管的一个漏/源极耦接到对应于该行独立晶体管的该晶体管对的源/漏极相互耦接的一个接点，其中对应于该行独立晶体管的该晶体管对中的一个晶体管的一个栅极耦接到一字线，而对应于该行独立晶体管的该晶体管对中的另一个晶体管的栅极经由对应的该行独立晶体管的栅极耦接到该字线。