[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 03133175.0 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1571172A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈锡铭 | 申请（专利权）人： | 联铨科技股份有限公司;陈锡铭 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管至少包括：一透明基板；一位于所述透明基板的一面上的反射层；一位于所述透明基板的另一面上的接着层；一位于所述接着层上的半导体磊晶结构，以及一位于半导体磊晶结构的n型接触层上的透明导电层；其中该半导体磊晶结构至少包括一n型接触层，且该n型接触层可为具连续平面的结构、具连续的网状或条状表面的结构、或具不连续表面的圆柱或角柱结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管，其特征在于，至少包括：一透明基板；一位于该透明基板的一面上的反射层；一位于该透明基板的另一面上的接着层；一位于该接着层上的半导体磊晶结构；以及一位于该半导体磊晶结构上的透明导电层。
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