[发明专利]一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层半导体材料的方法无效
| 申请号： | 03121825.3 | 申请日： | 2003-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1536621A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 周均铭;陈弘;王文冲;贾海强;尚勋忠;黄绮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层的半导体材料的方法，将GaAs衬底在真空中，以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜，然后通入As∶Ga束流，生长GaAs缓冲层，在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层，最后覆盖GaAs盖帽层，得到半导体材料，其特征在于：在400℃～650℃，采用As分子束保护，在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层时，加入As原子摩尔数的1～10％的In原子作为表面活化剂。本发明可以增强其它原子在外延表面的迁移长度，从而达到改善多层外延膜的界面质量和体质量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 gaas 基底 生长 al 外延 半导体材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备在GaAs基底上生长含Al外延层的半导体材料的方法，将GaAs衬底在真空中，以常规方法将其表面在As分子束保护下加热到580℃脱去表面氧化膜，然后通入As：Ga束流，生长GaAs缓冲层，在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层，最后覆盖GaAs盖帽层，得到半导体材料，其特征在于：在400～650℃，采用As分子束保护，在GaAs缓冲层表面再生长含Al外延层时，加入As原子摩尔数的1～10％的In原子作为表面活化剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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