[发明专利]聚硅氧烷以及含有所述聚硅氧烷的光致抗蚀剂组合物的制备方法无效
申请号: | 03110543.2 | 申请日: | 2003-03-05 |
公开(公告)号: | CN1526752A | 公开(公告)日: | 2004-09-08 |
发明(设计)人: | G·G·巴克利;S·卡纳加萨巴帕森;M·A·京 | 申请(专利权)人: | 希普利公司 |
主分类号: | C08G77/06 | 分类号: | C08G77/06;G03F7/075 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈泊;程伟 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及聚硅氧烷(硅倍半氧烷)和含有所述聚硅氧烷的光致抗蚀剂的新合成方法。本发明的合成方法包括使用具有多个反应性含氮基团的聚合模板试剂,特别是二胺试剂。 | ||
搜索关键词: | 聚硅氧烷 以及 有所 述聚硅氧烷 光致抗蚀剂 组合 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光致抗蚀剂组合物的制备方法,包括a)在具有多个反应性含氮部分的化合物存在下,聚合一种或多种反应性硅烷化合物,得到硅氧烷聚合物,以及b)将聚合物与光活性组分混合。
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