[发明专利]化学机械抛光装置及其控制方法

摘要

在化学机械抛光装置及其控制方法中，根据待抛光层的抛光工艺制程制备有关终点检测部件的检测光量的待抛光层的初始厚度表。输入层的抛光工艺制程，并通过将光投射到半导体晶片上，使用终点检测部件检测由层反射的光量。抛光工艺之前参考有关检测光量的层的初始厚度表计算层的厚度作为检测到的光量。抛光到需要的厚度之前，由计算的厚度计算抛光时间。抛光待抛光的层的同时，通过减小计算的抛光时间来检测终点。然后，当检测到终点时，终止抛光工艺。通过仅将程序添加到常规的CMP装置的控制器，可以精确地控制抛光终点，并且可以提高操作条件和效率。

主权项

1.一种控制化学机械抛光(CMP)装置的方法，用于抛光形成在半导体晶片上的下层上的层，该方法包括：根据待抛光层的抛光工艺制程，制备由终点检测装置检测的初始光量的“终点检测光量表”和待抛光层的对应初始厚度；将待抛光层的抛光工艺制程输入到化学机械抛光装置的存储装置内；将光投射到半导体晶片上；用终点检测装置检测由待抛光层反射的光量；由指示检测光量的检测信号根据终点检测光量表计算待抛光层的初始厚度；计算待抛光层从计算的初始厚度到需要的最终厚度的抛光时间；抛光待抛光层；在抛光层被抛光的同时，通过倒计时计算的抛光时间检测终点；以及当检测到终点时，停止抛光层。