[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 03107531.2 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1467888A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 松冈隆志;冈本浩 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一种半导体发光器件至少包括：一层形成在衬底上的覆层，一个在第一覆层上形成的,并包括由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y＜1)材料制成的激活层的光发射结构，和一层在光发射结构上形成的第二覆层。激活层是由一种具有小俄歇效应，并在环境温度下，对其带隙有较少依赖性的InN材料制成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，其特征在于该器件至少包括：一层形成在衬底(101)上的第一覆层(105)；一个在上述第一覆层上形成的，并包括由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y＜1)材料制成的激活层(107)的光发射结构；和一层在上述光发射结构上形成的第二覆层(110)。
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