[发明专利]绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03107427.8 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1442908A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 钱家錡;黄宏达 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/72;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/328 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,楼仙英 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法，采用本发明的方法制造的该芯片结构包含有：一单晶元件层，用来布局至少一绝缘层上覆硅元件；一埋入氧化层，位于该单晶元件层之下；一接地层，位于该埋入氧化层之下；以及一氧化层下元件，该埋入氧化层下元件是完全设置于该接地层，或部分设置于该接地层而部分设置于该埋入氧化层中；其中，该单晶元件层是由一第一晶片提供，而该接地层则是由一第二晶片提供，该第一晶片与该第二晶片是通过一晶片接合的方式彼此连接；本发明的芯片结构可方便大功率元件散热，可有效地对抗静电放电现象，亦可大幅度节省芯片布局面积。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅单晶 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘层上覆硅单晶芯片结构，包含有：一单晶元件层，用来布局至少一绝缘层上覆硅元件；一埋入氧化层，位于该单晶元件层之下；一接地层，位于该埋入氧化层之下；以及一氧化层下元件，该埋入氧化层下元件是完全设置于该接地层，或部分设置于该接地层而部分设置于该埋入氧化层中；其中，该单晶元件层是由一第一晶片提供，而该接地层则是由一第二晶片提供，该第一晶片与该第二晶片是通过一晶片接合的方式彼此连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司，未经威盛电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03107427.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种循环制备茂金属催化剂的方法
- 下一篇：洗衣机
- 同类专利
- 专利分类
