[发明专利]绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 03107427.8 | 申请日： | 2003-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1442908A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 钱家錡;黄宏达 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/72;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/328 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤,楼仙英 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅单晶 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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