[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器的储存电容及其制造方法有效
| 申请号： | 03104612.6 | 申请日： | 2003-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1523404A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 叶光兆;张志清 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/136;G02F1/1343;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管液晶显示器的储存电容及其制造方法，其结构包括一下电极、位于下电极上的一层介电层，以及位于介电层上的一上电极，其中介电层包括位于下电极与上电极间的第一部位，以及除了第一部位以外的第二部位，其中第一部位的厚度小于第二部位的厚度且大于介电层的破坏容忍厚度。因此可通过降低电极之间的介电层厚度，同时增加储存电容的电容率以及像素的开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶显示器 储存 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管液晶显示器的储存电容，其特征是，其包括：一下电极；一介电层；位于该下电极上；以及一上电极，位于该介电层上，其中该介电层包括：一第一部位，位于该下电极与该上电极间；以及一第二部位，位于该第一部位以外的部分，其中该第一部位的厚度小于该第二部位的厚度且大于该介电层的破坏容忍厚度。
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