[发明专利]高电导率的透明聚噻吩层无效
| 申请号： | 03103885.9 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1438656A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | S·基希梅耶;F·乔纳斯 | 申请（专利权）人： | 拜尔公司 |
| 主分类号： | H01B1/12 | 分类号： | H01B1/12;C08J5/22;C09D5/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金,马崇德 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制备比电导率至少为500S/cm的透明导电层的方法，该方法是通过化学氧化法使一种噻吩或多种噻吩的混合物进行聚合，其中所用的氧化剂是脂环族磺酸的铁(III)盐，用这种方法制备的导电层及其应用。 | ||
| 搜索关键词： | 电导率 透明 噻吩 | ||
【主权项】：
1.一种制备比电导率至少为500S/cm的透明导电层的方法，该方法是将一种通式(I)的噻吩或多种通式(I)噻吩的混合物进行聚合其中R1和R2相互独立，是任选取代的含有1至10个碳原子的直链或支化的烷基、芳基、烷基芳基或杂环基，或R1和R2结合在一起成为直链或支化的、取代或未取代的1至18个碳原子的亚烷基，其特征在于采用化学氧化法进行聚合，其中所用的氧化剂是脂环族磺酸的铁(III)盐。
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