[发明专利]半导体存储装置无效

专利信息
申请号: 03101541.7 申请日: 2003-01-10
公开(公告)号: CN1431664A 公开(公告)日: 2003-07-23
发明(设计)人: 本多泰彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C7/00;H01L27/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体存储装置备有:分割成每个作为进行页读出的单位的组的多个读出放大器(3),作为生成并输出使上述每个组中的读出放大器动作或使上述每个组中的读出放大器不动作的读出放大器控制信号(SAENi)的读出放大器控制信号生成电路(4),上述读出放大器控制信号既使上述多个读出放大器组中的一部分组的读出放大器,在与其它组的读出放大器不同的定时进行动作,又使上述多个读出放大器组中的一部分组的读出放大器,在与其它组的读出放大器不同的定时停止动作,和通过数据线(2)与上述多个读出放大器连接的多个存储单元(1)。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.半导体存储装置,它的特征是它备有以进行页读出为单位分割成组的多个读出放大器,生成并输出使上述每个组中的读出放大器动作或使上述每个组中的读出放大器停止动作的读出放大器控制信号(SAENi)的读出放大器控制信号生成电路,上述读出放大器控制信号使上述多个读出放大器组中的一部分组的读出放大器在与其它组的读出放大器不同的定时下进行动作,且在与其它组的读出放大器不同的定时下停止动作,和通过数据线与上述多个读出放大器连接的多个存储单元。
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