[发明专利]沟槽式电容器的结构及其制造方法

摘要

一种沟槽式电容器，此沟槽式电容器是由下电极、上电极与介电层所构成。下电极设置在基底中，且下电极是由下电极本体与多个第一突出部所构成。第一突出部的一末端连接下电极本体，第一突出部的另一末端从下电极朝一第一方向延伸。上电极设置在基底中，且位于与下电极相对的位置上。上电极是由上电极本体与多个第二突出部所构成。第二突出部的一末端连接上电极本体，第二突出部的另一末端从上电极本体朝一第二方向延伸。第二方向与第一方向相反，且第二突出部与第一突出部交互排列。介电层则设置在上电极与下电极之间。

主权项

1.一种沟槽式电容器的制造方法，该方法包括：(a)设置一基底；(b)在该基底中形成一沟槽；(c)在该基底中形成一掺杂区，该掺杂区位于该沟槽底部的该基底中，且该掺杂区的一部分延伸至该沟槽侧壁；(d)在该沟槽内依序形成一第一介电层、一第一导电层及一第二介电层且该第一介电层、该第一导电层及该第二介电层均未填满该沟槽；(e)去除部分该第二介电层、该第一导电层及该第一介电层，只留下位于该沟槽侧壁上的该第二介电层、该第一导电层及该第一介电层；(f)在该沟槽侧壁上形成一第三介电层，且该第三介电层未填满该沟槽；(g)在该沟槽内依序形成一第二导电层及一第四介电层，且该第二导电层及该第四介电层均未填满该沟槽；(h)在该沟槽内填入一材料层，且该材料层的顶面低于该沟槽的顶面；(j)去除高于该材料层的该第一介电层、该第一导电层、该第二介电层、该第三介电层、该第二导电层及该第四介电层；(j)去除该材料层；(k)在该沟槽侧壁上形成一第五介电层，且在暴露的该第二导电层形成一第六介电层；以及(l)在该沟槽内形成一第三导电层，且该第三导电层与该第一导电层电接触。