[发明专利]一种射频功率LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管无效
| 申请号： | 02806250.7 | 申请日： | 2002-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1524296A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | J·约翰逊;N·阿肯斯塔姆 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一种射频功率LDMOS晶体管中，其包含多对平行的栅极指针(11)，其中栅极指针位于一种相关的p+向下扩展(23)的对立边之上，而且包含用于造成p+向下扩展短路的金属夹(14)，每一对栅极指针(11)中的一种栅极指针与分离的金属夹(14)相关，该金属夹造成n+源极区域(20)的短路以及与特定的栅极指针(11)相关的p+向下扩展(23)的短路。与每个栅极指针对相关的分离金属夹(14)被一种槽(15)分开，该槽在平行的栅极指针(11)之间延伸，而且一种金属转轮(13)在分离的金属夹(14)之间的槽(15)中延伸，该夹与来自一种栅极填充的每个指针对相关。一种栅极指针对的两个栅极指针(11)都被连接到相关的金属转轮(13)，连接处位于指针的两端以及沿其长度的预定位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率 ldmos 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种射频功率LDMOS晶体管，其包含多对平行的栅极指针(11)，每个栅极指针对的栅极指针(11)都位于一种相关的p+向下扩展(23)的对立边之上，而且提供金属夹(14)来造成p+向下扩展(23)和位于p+向下扩展(23)对立边上的n+源极区域(20)的短路，其特征在于：一种栅极指针对的每个栅极指针(11)都与分离的金属夹(14)相关，该金属夹造成n+源极区域(20)和与该特定的栅极指针(11)相关的p+向下扩展(23)的短路；与每个栅极指针对相关的分离金属夹(14)被一种槽(15)分离，该槽在平行的栅极指针(11)之间延伸；一种金属转轮(13)在分离的金属夹(14)之间的槽(15)中延伸，该槽与来自一种栅极填充的每个栅极指针对相关；且一种栅极指针对的两个栅极指针(11)都在它们两者的各端以及沿它们长度的预定位置被连接到相关的金属转轮(13)。
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