[发明专利]一种射频功率LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管无效
| 申请号： | 02806250.7 | 申请日： | 2002-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1524296A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | J·约翰逊;N·阿肯斯塔姆 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率 ldmos 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【权利要求书】：
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