[发明专利]电子器件材料的制造方法有效
| 申请号： | 02803991.2 | 申请日： | 2002-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1860596A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种采用SiO2膜及SiON膜作为具有极薄(例如2.5nm以下)膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、SiGe作为电极的具有良好电气特性的电子器件(例如高性能MOS型半导体器件)结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，通过由平面天线部件SPA在使以Si为主要成分的晶片W上照射微波，形成包含氧以及稀有气体的等离子体(或者包含氮以及稀有气体的等离子体、或者包含氮、稀有气体以及氢的等离子体)。利用此等离子体在所述晶片表面形成氧化膜(或者氮氧化膜)，根据需要形成多晶硅、非晶硅、SiGe的电极并形成电子器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件材料的制造方法，其特征在于，在至少包含O2以及稀有气体的处理气体的存在下，采用通过具有多个缝隙的平面天线部件的微波照射产生的等离子体，在以Si为主要成分的被处理基体的表面形成氧化膜(SiO2膜)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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