[发明专利]铁电体薄膜、金属薄膜或氧化物薄膜、其制造方法和制造装置以及使用薄膜的电子或电气装置无效
| 申请号： | 02803907.6 | 申请日： | 2002-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1488166A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 都田昌之;矢元久良;楠原昌树;梅田优;深川满 | 申请（专利权）人： | 株式会社渡边商行;都田昌之 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 铁电体薄膜的特征在于，具有包括氧(O)和至少碳、锶(Sr)、铋(Bi)、钽(Ta)和铌(Nb)的层状晶体结构，其组成式为SrBiyTa2O9±d或SrxBiy(Ta，Nb)2O9±d，假定0.90≤x＜1.00，1.70＜y≤3.20，和0≤d≤1.00，并且碳含量是5％at或更少。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电体 薄膜 金属 氧化物 制造 方法 装置 以及 使用 电子 电气 | ||
【主权项】：
1、一种层状晶体结构的铁电体薄膜，包括碳、锶(Sr)、铋(Bi)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少钽以及氧(O)，其组成式为SrBiyTa2O9±d或SrxBiy(Ta，Nb)2O9±d(假定0.90≤x＜1.00，1.70＜y≤3.20，和0≤d≤1.00)，并且碳含量是5at％或更少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
