[发明专利]金属离子扩散阻挡层无效
| 申请号： | 02803438.4 | 申请日： | 2002-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN1524291A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | M·洛博达 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路，包括形成到由半导体材料制成的衬底中的固态器件的子组件。组件内的该器件通过由导电金属形成的金属布线连接。具有SiwCxOyHz组成的合金膜的扩散阻挡层与金属布线接触，其中w的值为10－33原子％，优选18－20原子％，x的值为1－66原子％，优选18－21原子％，y值为1－66原子％，优选5－38原子％，z值为0.1－60原子％，优选25－32原子％，w+x+y+z＝100原子％。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 离子 扩散 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，该集成电路由形成到由半导体材料制成的衬底中的固态器件的子组件、连接所述固态器件的金属布线和至少形成在金属布线上的扩散阻挡层构成，其中所述扩散阻挡层是具有SiwCxOyHz组成的合金膜，其中w的值为10-33，x的值为1-66，y值为1-66，z值为0.1-60，并且w+x+y+z＝100原子％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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