[发明专利]信息存储装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种信息存储装置及其制造方法，有可能使作为多层体的信息记录元件最小化，同时不造成元件的电阻增加、功耗增加或可靠性下降，其中所述多层体包括铁磁层、半导体层和铁磁层。信息存储器件(1)包括写字线(11)、位线(21)及作为多层膜的信息存储元件(31)，其中位线(21)形成得在预定的间隔处与写字线(11)交叉，所述多层膜包括在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间设置的磁层。信息存储元件(31)包括在第二绝缘膜(53)中设置的凹入部分(54)及至少包括在凹入部分(54)中形成的磁层的多层膜，其中第二绝缘膜(53)在写字线(11)和位线(21)之间交叉区域中在写字线(11)和位线(21)之间形成。

主权项

1.一种信息存储装置，包括：字线；每个以在预定的间隔处与所述字线交叉的方式形成的位线；以及信息存储器件，每一个器件都包括多层膜，所述多层膜包括在所述字线和所述位线之间交叉区域的相关位置中在所述字线和所述位线之间设置的磁层，其特征在于：所述信息器件每一个都包括：在绝缘膜中设置的凹入部分，所述绝缘膜在所述字线和所述位线之间交叉区域中在所述字线和所述位线之间形成；以及至少包括在所述凹入部分中形成的所述磁层的多层膜。