[发明专利]改进编程的非易失性存储器及为此的方法无效
| 申请号： | 02800792.1 | 申请日： | 2002-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1460268A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·冈格威尔;丹尼尔·C·古特曼 | 申请（专利权）人： | 三因迪斯克公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/56;G11C16/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯庚宣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 利用并行应用于多个存储单元的编程系统程控具有非易失性电荷保存能力的非易失性存储器，例如EEPROM和快速EEPROM。通过利用依赖于数据的编程电压借助最少的编程脉冲，把各个单元编程到其目标状态，获得增强性能。通过在多阶段中执行编程操作，实现进一步的提高，在编程分辨率更细微的情况下，例如采用具有更缓和的阶梯波形的编程电压，执行各个连续阶段。这些特征允许快速准确地收敛于被并行编程的该组存储单元的目标状态，从而允许每个存储单元在不牺牲性能的情况下保存几位信息。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 编程 非易失性存储器 为此 方法 | ||
【主权项】：
1、一种并行对一组存储单元编程的方法，每个存储单元具有可单独编程到目标电荷电平的电荷存储，所述目标电荷电平对应于其多个存储状态中的目标存储状态，所述方法包括：提供把存储单元编程到所述多个存储状态之一的多个电平；为该组中的各个存储单元选择所述多个电平之一，选择的电平是存储单元的目标存储状态的函数；产生随着各个存储单元的选择电平而变化的编程电压；和并行对该组存储单元编程。
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