[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 02158833.3 | 申请日: | 2002-12-25 |
公开(公告)号: | CN1430281A | 公开(公告)日: | 2003-07-16 |
发明(设计)人: | 外園明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/822 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 具有:在半导体衬底上边彼此隔离开来形成,分别具有有源区的第1、第2晶体管;隔离上述第1、第2晶体管隔离区;设置在隔离区内的缝隙,设置在缝隙的内壁部分上边的导电膜;与有源区电连的第1、第2部分,和使得沿着缝隙地设置在隔离区上边,且已与第1、第2部分一体化了的布线层的第3部分。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用布线层把有源区间连接起来的半导体器件,具备:在半导体衬底上边彼此隔离开来形成的第1、第2晶体管,分别具有有源区;在上述半导体衬底上边形成的隔离区,设置在上述第1、第2晶体管的相互间以隔离上述第1、第2晶体管;在上述隔离区内的至少一个缝隙,设置在上述第1、第2晶体管的上述扩散区相互间使之连续起来,具有内壁部分且具有规定的宽度;设置在上述至少一个缝隙的上述内壁部分上的导电膜;由分别设置在上述第1、第2晶体管的上述扩散区上且与上述各个有源区电连的第1、第2部分,和沿着上述隔离区的上述缝隙设置在上述隔离区上且与上述第1、第2部分一体化的第3部分构成的布线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的