[发明专利]具有电容器的半导体器件

摘要

构成电容器的下部电极的导电膜(15a)具有在与半导体衬底1的主表面垂直的方向延伸的部分和在与半导体衬底1的主表面平行的方向延伸的部分。构成电容器电介质膜的绝缘膜(15b)沿导电膜(15a)形成的凹部的表面形成。构成电容器的上部电极的导电膜(15c)被埋入绝缘膜(15b)的凹部内。由于导电膜(15c)和布线层(65)由同一层形成，所以布线层(65)具有作为包含导电膜(15c)和导电膜(15a)的电容器的虚设图形的功能。其结果是可以得到具有能不在与半导体衬底的主表面平行的方向占有大的面积而增加静电电容量，同时能减少构成虚设图形的材料的用量的电容器的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；具有与该半导体衬底的主表面平行的上表面、并具有以距该上表面规定的深度形成的第1凹部和以距上述上表面规定的深度形成的第2凹部的层间绝缘膜；充填上述第1凹部、具有与上述上表面连续的上表面的第1导电膜；沿上述第2凹部的表面设置的电容器的下部电极；沿该电容器的下部电极形成的凹部的表面设置的电容器电介质膜；以及在该电容器电介质膜形成的凹部内设置的电容器的上部电极。