[发明专利]感放射线组合物及图案形成方法及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02151388.0 | 申请日： | 2002-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1428654A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 横山义之;服部孝司 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G03F7/027 | 分类号： | G03F7/027;G03F7/16;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负型感放射线组合物，其适用于包含ArF受激准分子激光波长193nm的远紫外线的曝光，可避免因现像液的渗透所造成的膨润或图案的线间残留抗蚀膜而使解像度劣化，可形成高解像度的图案。本发明解决上述问题的方法是提供一种感放射线组合物，其包含在酯部上具有γ－羟基羧酸的丙烯酸酯聚合物及酸产生剂。 | ||
| 搜索关键词： | 放射线 组合 图案 形成 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种感放射线组合物，其特征在于，其包含在酯部具有γ-羟基羧酸的丙烯酸酯聚合物及酸产生剂。
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