[发明专利]降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法有效
| 申请号： | 02148735.9 | 申请日： | 2002-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1501456A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陈韵升 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L33/00;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法，它至少包含形成一导电薄膜于基板的上表面；及施加一偏压于导电薄膜，并同时对导电薄膜进行干式蚀刻，用以平坦化导电薄膜表面；导电薄膜的粗糙尖端因尖端放电效应，产生较大的电场，而得到较高的蚀刻率，有效平坦化氧化铟锡薄膜表面。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 导电 薄膜 表面 粗糙 尖端 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低导电薄膜表面粗糙尖端的方法，其特征是：它至少包含下列步骤：(1)形成一导电薄膜于一基板的上表面；(2)施加一偏压于该导电薄膜，并同时对该导电薄膜进行干式蚀刻，用以平坦化该导电薄膜表面；该导电薄膜的粗糙尖端因尖端放电效应，产生较大的电场，而得到较高的蚀刻率，有效平坦化该氧化铟锡薄膜表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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