[发明专利]双自行对准硅化物制造方法

摘要

一种双自行对准硅化物制造方法，其包括在基底上形成掩模层，而基底上已形成有第一晶体管与第二晶体管，且第一晶体管的栅极的上表面略高于第二晶体管的栅极的上表面。接着图案化掩模层以暴露出第二晶体管的栅极、源极与漏极，再分别于第二晶体管的栅极、源极与漏极之上以自行对准硅化物制造方法来形成第一金属硅化物。然后在基底上形成介电层，且使其上表面高于第一晶体管的栅极的上表面。去除高于第二晶体管栅极上表面的介电层，以暴露出第一与第二晶体管的栅极上表面。再以自行对准硅化物制造方法于第一晶体管的栅极上表面形成第二金属硅化物。

主权项

1、一种双自行对准硅化物制造方法，该制造方法包括：在一基底上形成一掩模层，该基底上已形成有一第一晶体管、一第二晶体管与一第三晶体管，该第一晶体管的栅极的上表面略高于该第二与第三晶体管的栅极的上表面；图案化该掩模层以暴露出该第二晶体管的栅极、源极与漏极；以自行对准硅化物制造方法分别在该第二晶体管的栅极、源极与漏极之上形成第一金属硅化物；在该基底上形成一介电层，该介电层的上表面高于该第一晶体管的栅极的上表面；去除高于该第二与第三晶体管栅极上表面的该介电层，以暴露出该第一、第二与第三晶体管的栅极上表面；以及以自行对准硅化物制造方法分别在该第一与第三晶体管的栅极上表面形成第二金属硅化物。