[发明专利]一种微距覆晶载板的结构及其制造方法无效
申请号: | 02146881.8 | 申请日: | 2002-10-18 |
公开(公告)号: | CN1490857A | 公开(公告)日: | 2004-04-21 |
发明(设计)人: | 张谦为;黄胜川 | 申请(专利权)人: | 景硕科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/14;H05K3/46;H05K1/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;楼仙英 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种微距覆晶载板的结构及及制造方法,其是在结合垫间,于金属线路上直接形成金属氧化防焊阻堤作为取代公知技术中的防焊阻剂之用,使得该结合垫不会深埋在防焊阻剂中,同时开发一种于激光钻微小孔后以镀铜填孔方式形成该线路导通结构,因此可直接在孔上直接形成,大幅改善布线空间及弹性,且配合上述布线空间的改善,本发明提供一种微距覆晶载板的结构,可实现在有限空间的限制之下,另外设计一支撑线路以增加载板抗曲强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 微距覆晶载板 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微距覆晶载板的制造方法,其特征在于,它包括:·提供一载板步骤,是将该载板表面预先形成第一金属层,此第一金属层材料为铜,钯等导电金属,在该载板上预先形成复数个载板导通孔,是以一机械或激光钻孔形成,且该复数导孔孔径50~300μm,并于该第一金属层表面与该载板导通孔中形成一第一镀金属层;·形成一内层线路步骤,是利用形成的感光阻剂将影像转移,以当作罩幕蚀刻该第一镀金属层与该第一金属层形成沟渠,未被蚀刻的部分形成该内层线路;·黑氧化内层线路步骤,是以氧化内层金属线路,形成金属线路表面粗糙,以增加多层板结合时和介电层的结合力,此表面粗糙的制造方法,可利用碱性药水将金属线路的金属如铜氧化成氧化铜,或仅用微蚀药水如硫酸双氧水将平滑金属线路表面咬蚀成凹凸粗糙面,以增加多层板结合时和介电层的结合力;·形成一介电层与第二金属层步骤,是以介电物质填入该载板导通孔与该沟渠中,并覆盖整个该内层线路,再于该介电层表面形成一金属层,此金属层为金属箔如铜箔,厚度为5~12μm,若化学沉积金属薄层如贵金属钯加上铜厚度1~5μm,之后将金属层薄化至1~5μm形成第二金属层;·以激光形成介电层通孔步骤,是形成干膜以影像转移形成一光罩开口以蚀刻将开口金属层蚀除以形成激光光罩,并依此激光光罩的开口处以激光钻孔形成复数个介电层通孔,并于该介电层通孔中形成一第二镀金属层,并填孔镀铜于该介电层通孔中,之后整理该第二镀金属层表而;·形成一线路层步骤,是形成干膜作为罩幕形成IC焊垫,再以电镀方法于该第二金属层上形成一镍金层,再利用剥膜方法移除干膜裸露第二层金属层,之后再以感光阻剂罩幕结合裸露的镀镍金IC焊垫及形成该层线路,此感光阻剂以压膜机,真空压膜机贴付干膜或以液态阻剂涂布形成,以蚀刻无镍金及干膜罩幕保护的第二层金属层形成沟渠,未被蚀刻的部分形成该导电性线路层及其支撑线路;·形成复数个防焊阻剂区域步骤,是于该第二金属层上的非IC结合区直接形成防焊阻剂区域;·形成复数个黑氧化防焊阻堤步骤,是以一氧化方式利用IC焊垫镀镍金后形成的钝化保护层以外的导电连接线路上直接形成该复数个黑氧化阻堤于第二金属层的IC焊垫连接线路表面;·封装覆晶步骤,是于晶片反面以锡铅结合凸块与该镀镍金焊垫结合电性连接,且电性导通于该覆晶载板通孔与该介电层通孔中的线路,之后再以灌胶于IC底部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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