[发明专利]具有储存电容器的像素结构与其形成方法及液晶显示装置无效
| 申请号： | 02146321.2 | 申请日： | 2002-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1490645A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 吴永良;王东荣;郭晋荣 | 申请（专利权）人： | 奇美电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/136;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省台南县台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种像素储存电容器结构，包括一第一电容电极形成于一基板上。一电容介电层形成于第一电容电极上。一第二电容电极形成于电容介电层上，其中第二电容电极的面积范围小于第一电容电极的面积范围。一保护层覆盖过于第二电容电极上，其中保护层有一开口，暴露出第二电容电极。一像素电极层覆盖于保护层上，透过保护层的开口与第二电容电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 储存 电容器 像素 结构 与其 形成 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种具有储存电容器的像素结构，其特征在于：包括：一第一电容电极，形成于一基板上；一电容介电层，形成于该第一电容电极上；一第二电容电极，形成于该电容介电层上，其中该第二电容电极的一面积范围小于该第一电容电极的一面积范围；一保护层覆盖过于该第二电容电极上，其中该保护层有一开口，暴露出该第二电容电极；一像素电极层覆盖于该保护层上，透过该保护层的该开口与该第二电容电极连接。
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