[发明专利]回收离子注入掺杂剂量监控片的方法无效

专利信息
申请号: 02145359.4 申请日: 2002-11-25
公开(公告)号: CN1412820A 公开(公告)日: 2003-04-23
发明(设计)人: 苏俊铭;宋建鹏;肖天金;黄晋德 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 马连富
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种回收,再利用监测衬底片离子注入掺杂剂量监控片的工艺方法。回收监控片的方法,包含步骤a)在全新或回收的监控片上沉积屏蔽层;b)离子注入沉积有屏蔽层的监控片c)利用热波仪对离子注入监控片进行热波(Thermalwave)值测量。d)用氢氟酸蒸气除去屏蔽层,回收监控片,作再次监控使用。本发明工艺所用屏蔽层包含氧化层。但只要反射率明确已知的材料均可用作屏蔽层。另外,本发明方法同时装上全新监控片进行灵敏度及重复性比较。通过比较验证说明本发明回收方法是一种实用、有效的工艺方法。
搜索关键词: 回收 离子 注入 掺杂 剂量 监控 方法
【主权项】:
1.一种回收离子注入掺杂监控片的工艺方法,包括监控片、屏蔽层、离子注入掺杂工艺以及热波测量仪,其特征在于工艺方法如下:a)在监控片上沉积屏蔽层;b)掺杂离子注入监控片;c)破坏值测量掺杂离子注入监控片;d)去除监控片上的屏蔽层,回收离子注入掺杂监控片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02145359.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top