[发明专利]回收离子注入掺杂剂量监控片的方法无效
申请号: | 02145359.4 | 申请日: | 2002-11-25 |
公开(公告)号: | CN1412820A | 公开(公告)日: | 2003-04-23 |
发明(设计)人: | 苏俊铭;宋建鹏;肖天金;黄晋德 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 马连富 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种回收,再利用监测衬底片离子注入掺杂剂量监控片的工艺方法。回收监控片的方法,包含步骤a)在全新或回收的监控片上沉积屏蔽层;b)离子注入沉积有屏蔽层的监控片c)利用热波仪对离子注入监控片进行热波(Thermalwave)值测量。d)用氢氟酸蒸气除去屏蔽层,回收监控片,作再次监控使用。本发明工艺所用屏蔽层包含氧化层。但只要反射率明确已知的材料均可用作屏蔽层。另外,本发明方法同时装上全新监控片进行灵敏度及重复性比较。通过比较验证说明本发明回收方法是一种实用、有效的工艺方法。 | ||
搜索关键词: | 回收 离子 注入 掺杂 剂量 监控 方法 | ||
【主权项】:
1.一种回收离子注入掺杂监控片的工艺方法,包括监控片、屏蔽层、离子注入掺杂工艺以及热波测量仪,其特征在于工艺方法如下:a)在监控片上沉积屏蔽层;b)掺杂离子注入监控片;c)破坏值测量掺杂离子注入监控片;d)去除监控片上的屏蔽层,回收离子注入掺杂监控片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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