[发明专利]具有低阻层的发光二极管结构有效
| 申请号： | 02143976.1 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1485930A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 蓝文厚;陈隆建;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种二极管结构，其包括于p型与/或n型区域的低阻层结构，可降低p型与/或n型区域的等效电阻，以降低元件操作电压，提升功率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低阻层 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有低阻层的发光二极管结构，其特征是该结构包括位于p或n层区域之一的低阻层；其中该低阻层是藉由利用载子经由穿隧效应、崩溃效应，以降低该磊晶结构的电阻或操作电压。
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