[发明专利]低功耗相关双取样电路结构无效
| 申请号： | 02143299.6 | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1485898A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 金湘亮;陈杰;仇玉林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种低功耗相关双取样电路结构，包括：两个取样开关用P型MOS管，其源极接信号输入端，该一开关管的栅极接置位开关信号，另一开关管的栅极接取样开关信号；两个电容用N型MOS管，其栅极分别接另两开关用管的漏极；一个复位开关用N型MOS管，其栅极接复位信号，漏极接一开关管的漏极，源极接另一开关管的漏极；一个差分放大对管，其栅极分别接另两开关管的漏极，一N型MOS管构的源极接输出信号端，另一N型MOS管的源极接等效电流源，漏极接输出信号端；当像素置位和复位读取信号时，两次取样信号分别储存在电容用N型MOS管内，利用电容上信号不能突变的原理，通过差分放大对管完成差分处理输出有用信号，至此完成相关双取样过程。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 相关 取样 电路 结构 | ||
【主权项】：
1、一种低功耗相关双取样电路结构，其特征在于，其中包括：两个取样开关用P型MOS管，该P型MOS管来提高信号摆幅降低功耗；该两开关用P型MOS管的源极接信号输入端，该一开关用P型MOS管的栅极接置位开关信号，另一开关用P型MOS管的栅极接取样开关信号；两个电容用N型MOS管，其漏极和源极均接地，栅极分别接另两开关用P型MOS管的漏极；一个复位开关用N型MOS管，其栅极接复位信号，漏极接一开关用P型MOS管的漏极，源极接另一开关用P型MOS管的漏极；一个差分放大对管由两个N型MOS管构成简单差分处理电路，其栅极分别接另两开关用P型MOS管的漏极，一N型MOS管构的源极接输出信号端，漏极接电源电压端，另一N型MOS管的源极接等效电流源，漏极接输出信号端；当像素置位和复位读取信号时，两次取样信号分别储存在两个电容用N型MOS管内，利用电容上信号不能突变的原理，通过差分放大对管完成差分处理输出有用信号，至此完成相关双取样过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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